驱动电路的驱动能力问题分析
驱动方面，关注它的动态特性，也就是开关特性；还有它的静态特性，就是稳态电平。从静态和动态方面出发，驱动有以下几点需要特别注意：
其一，稳态电平幅值，你得看一下你使用的开关管，比如mosfet，你设计流过它的电流ld是多少，因为像mosfet这类电压型的开关器件，门极电压Vgs和通过主体漏极电流ld是跨导（g）关系，这个跨导就像咱们三极管的电流放大倍数一个道理，所以首先满足ld=Vgs * g也就是你的电平，这里还要注意你的有效Vgs,它是你的实际电平减去这类管子的开通阈值（开通阈值或门槛电压用Vth表示，有效电平 = 实际电平一Vth);
其二，动态峰值电流能力，驱动芯片必须要满足给门极充电的能力，尤其是瞬态的峰值电流，lpeak ＝门极电平/驱动电阻，如果你的单片机没有这个峰值电流能力，那么我们知道，瞬态大电流和单片机驱动口内阻乘积就是电压，这就是驱动能力不足，导致门极充放电变慢，开关速度异常，还有就是你的单片机会发热；
其三，开关管驱动功率消耗，我们知道理想的电压型开关并不需要驱动功率，但是实际当中，像mosfet存在门极电容（Cgs）和米勒电容（Cgd或Crss)，这些电容通过驱动电阴充放电都是要消耗功率的，所以*工作频率*电容的电荷量（这里包括了门极电容和米勒电容总电荷，通常在数据手册里成为Qg)，驱动功率意味着驱动芯片，像单片机会产生功耗，也就是发热的问题．
单片机可以驱动，后面加三极管推挽的作用就是满足像态电平和动态驱动能刀的要求。
你用单片机直摧驱动未尝不可，但只需要满足以上静态和动态的需求即可。
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